г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FPAM50LH60 Fairchild Semiconductor

Артикул
FPAM50LH60
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
PFC SPM 2 SERIES FOR 2-PHASE INT, Power Driver Module IGBT 2 Phase 600 V 50 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Цена
5 064 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/FPAM50LH60.jpg
Voltage
600 V
Voltage - Isolation
2500Vrms
Configuration
2 Phase
Type
IGBT
Standard Package
1
Other Names
2156-FPAM50LH60,FAIFSCFPAM50LH60
HTSUS
0000.00.0000
Package / Case
32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
PFC SPM® 2
Current
50 A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDMF5804
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: FDMF5804, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: FDP7030L
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3, N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FPAM50LH60
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: PFC SPM 2 SERIES FOR 2-PHASE INT, Power Driver Module IGBT 2 Phase 600 V 50 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: FQPF27P06
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, P-Channel 60 V 17A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: FCPF220N80
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 800 V 23A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: ZTX614
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 100V 800MA TO226, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 800 mA - 1 W Through Hole TO-226
Подробнее