FQPF33N10L Fairchild Semiconductor
Артикул
FQPF33N10L
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Цена
122 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQPF33N10L.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220F-3
Series
QFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-FQPF33N10L,FAIFSCFQPF33N10L
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут