FQPF9N25C Fairchild Semiconductor
Артикул
FQPF9N25C
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8, N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Цена
96 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQPF9N25C.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220F-3
Series
QFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-FQPF9N25C,ONSONSFQPF9N25C
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут