FQT7N10LTF Fairchild Semiconductor
Артикул
FQT7N10LTF
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 100 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Цена
40 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQT7N10LTF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
2W (Tc)
Supplier Device Package
SOT-223-4
Series
QFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
FAIFSCFQT7N10LTF,2156-FQT7N10LTF
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут