г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF830B Fairchild Semiconductor

Артикул
IRF830B
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 73W (Tc) Through Hole TO-220
Цена
93 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF830B.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-220
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
FAIFSCIRF830B,2156-IRF830B
Standard Package
1
Power Dissipation (Max)
73W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HGTP12N60A4D
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: RGP10J
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER DIODE, 1A, 600V, DO-41, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: TN6718A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 100V 1.2A TO226-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1.2 A - 1 W Through Hole TO-226-3
Подробнее
Артикул: FDA38N30
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 300 V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: FDMC2523P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, P-Channel 150 V 3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: MPSW56
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO226-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 50MHz 1 W Through Hole TO-226-3
Подробнее