г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT5551 Fairchild Semiconductor

Артикул
MMBT5551
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
0.6A, 160V, NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT5551.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3
Power - Max
350 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Other Names
FAIFSCMMBT5551,2156-MMBT5551
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF710
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB, N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC546A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 65V 100MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BZX84C3V9
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: ZENER DIODE, 3.9V, 5%, 0.25W, UN, Zener Diode
Подробнее
Артикул: TIP31B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDP3651U
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8, N-Channel 100 V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HGTP12N60A4D
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Подробнее