г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N4001 General Semiconductor

Артикул
2N4001
Бренд
General Semiconductor
Описание
LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN, Bipolar (BJT) Transistor - 100 V 1 A 40MHz 15 W Through Hole TO-5
Цена
351 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Series
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Transistor Type
-
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
TO-5
Standard Package
1
Other Names
2156-2N4001,GSIGSI2N4001
HTSUS
0000.00.0000
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
Part Status
Active
Package
Bulk
Frequency - Transition
40MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N4115
Бренд: General Semiconductor
Описание: LOW FREQUENCY NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor - 80 V 5 A 50MHz 37 W Stud Mount TO-59
Подробнее
Артикул: 2N4001
Бренд: General Semiconductor
Описание: LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN, Bipolar (BJT) Transistor - 100 V 1 A 40MHz 15 W Through Hole TO-5
Подробнее