г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6129 Harris

Артикул
2N6129
Бренд
Harris
Описание
NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/2N6129.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS non-compliant
Other Names
HARHAR2N6129,2156-2N6129
Standard Package
1
REACH Status
Vendor Undefined
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BD244C
Бренд: Harris
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A - 65 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFD123
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, N-Channel 100 V 1.3A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: IGTH20N50
Бренд: Harris
Описание: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP, IGBT - 500 V 20 A Through Hole TO-218 Isolated
Подробнее
Артикул: IRF623
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 150 V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HGTP10N40C1
Бренд: Harris
Описание: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT, IGBT - 400 V 10 A 60 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HUF75339P3
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3, N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее