г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

2N6131 Harris

Артикул
2N6131
Бренд
Harris
Описание
NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
RoHS non-compliant
Other Names
2156-2N6131,HARHAR2N6131
Standard Package
1
REACH Status
Vendor Undefined
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RURU10060
Бренд: Harris
Описание: 100A, 600V ULTRAFAST DIODE, Diode Standard 600 V 100A Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: MJE13070
Бренд: Harris
Описание: MAX II POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 6 V 5 A 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N6532
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRFPC40
Бренд: Harris
Описание: 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL, N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: RFP8N18L
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 180 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF612
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее