г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60B3D Harris

Артикул
HGTP7N60B3D
Бренд
Harris
Описание
IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220AB
Цена
172 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP7N60B3D.jpg
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Switching Energy
160µJ (on), 120µJ (off)
Gate Charge
37 nC
Supplier Device Package
TO-220AB
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
HARHARHGTP7N60B3D,2156-HGTP7N60B3D
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ73A
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3, N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: RCA1C04
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BUZ41A
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BDX34B
Бренд: Harris
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF743
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 350 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Harris
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее