г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGTH20N50A Harris

Артикул
IGTH20N50A
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP, IGBT - 500 V 20 A Through Hole TO-218 Isolated
Цена
450 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGTH20N50A.jpg
Switching Energy
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
-
IGBT Type
-
Test Condition
-
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V
Supplier Device Package
TO-218 Isolated
Input Type
Standard
Standard Package
1
Other Names
2156-IGTH20N50A,HARHARIGTH20N50A
HTSUS
0000.00.0000
Package / Case
TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
-
Td (on/off) @ 25°C
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BD244B
Бренд: Harris
Описание: TRANS PNP 80V 6A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 6 A 3MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJE13070
Бренд: Harris
Описание: MAX II POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 6 V 5 A 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N5323
Бренд: Harris
Описание: SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A - 10 W Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: BYW51150
Бренд: Harris
Описание: 8A, 100V-200V DUAL DIODE, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 150 V 8A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: TIP30B
Бренд: Harris
Описание: SILICON POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFBC42
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 600 V 5.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее