IRF630 Harris
Артикул
IRF630
Бренд
Harris
Описание
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB, N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
109 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF630.jpg
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Other Names
2156-IRF630-HC,HARHARIRF630
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут