г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF810 Harris

Артикул
IRF810
Бренд
Harris
Описание
8A, 500V, 0.850 OHM, N-CHANNEL P, Mosfet Array
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Other Names
HARHARIRF810,2156-IRF810
Standard Package
1
REACH Status
Vendor Undefined

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP32C
Бренд: Harris
Описание: 3A, 100V, PNP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJE16002
Бренд: Harris
Описание: MAX II POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 6 V 5 A - 80 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF631
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 150 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFU420
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA, N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее
Артикул: 2N1893
Бренд: Harris
Описание: NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA - 800 mW Through Hole TO-5
Подробнее
Артикул: HGTP7N60C3D
Бренд: Harris
Описание: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее