г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF810 Harris

Артикул
IRF810
Бренд
Harris
Описание
8A, 500V, 0.850 OHM, N-CHANNEL P, Mosfet Array
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Other Names
HARHARIRF810,2156-IRF810
Standard Package
1
REACH Status
Vendor Undefined

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N6032
Бренд: Harris
Описание: HIGH POWER NPN TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 50 A 140 W Through Hole TO-204AE
Подробнее
Артикул: IRF530
Бренд: Harris
Описание: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB, N-Channel 100 V 14A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFD311
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 350 V 400mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip
Подробнее
Артикул: IRF214
Бренд: Harris
Описание: IRF214, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: IRFPC40
Бренд: Harris
Описание: 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL, N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BD241A
Бренд: Harris
Описание: TRANS NPN 60V 3A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A - 40 W Through Hole TO-220AB
Подробнее