г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF810 Harris

Артикул
IRF810
Бренд
Harris
Описание
8A, 500V, 0.850 OHM, N-CHANNEL P, Mosfet Array
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Other Names
HARHARIRF810,2156-IRF810
Standard Package
1
REACH Status
Vendor Undefined

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFD121
Бренд: Harris
Описание: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, N-Channel 80 V 1.3A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip
Подробнее
Артикул: TIP30B
Бренд: Harris
Описание: SILICON POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: RHRP30100
Бренд: Harris
Описание: 30A, 1000V HYPERFAST DIODE, Diode Avalanche 1000 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IRF731
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 350 V 5.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: TIP117
Бренд: Harris
Описание: PNP DARLINGTON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A - 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IGTH20N50
Бренд: Harris
Описание: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP, IGBT - 500 V 20 A Through Hole TO-218 Isolated
Подробнее