IRFD123 Harris
Артикул
IRFD123
Бренд
Harris
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, N-Channel 100 V 1.3A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
138 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFD123.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Other Names
HARHARIRFD123,2156-IRFD123-HC
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Through Hole
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
100
FET Feature
-
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут