IRFD9120 Harris
Артикул
IRFD9120
Бренд
Harris
Описание
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP, P-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFD9120.jpg
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Type
P-Channel
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Other Names
HARHARIRFD9120,2156-IRFD9120-HC
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут