г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

RFD16N05LSM Harris

Артикул
RFD16N05LSM
Бренд
Harris
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
95 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/RFD16N05LSM_55.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Other Names
HARHARRFD16N05LSM,2156-RFD16N05LSM-HC
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
RFD16
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
75
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFD9110
Бренд: Harris
Описание: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL, P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Подробнее
Артикул: D44H11
Бренд: Harris
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MUR840
Бренд: Harris
Описание: DIODE SWITCHING 400V 8A, Diode Standard 400 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MJE13071
Бренд: Harris
Описание: MAX II POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 6 V 5 A 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Harris
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 2N6131
Бренд: Harris
Описание: NPN POWER TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее