г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB20B60PD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB20B60PD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 40A 215W TO220AB, IGBT NPT 600 V 40 A 215 W Through Hole TO-220AB
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB20B60PD1PBF.jpg
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Power - Max
215 W
Switching Energy
95µJ (on), 100µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
68 nC
Td (on/off) @ 25°C
20ns/115ns
Test Condition
390V, 13A, 10Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRGB20B60PD1PBF,SP001548090
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR142E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF9362TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLU3410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRL8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC15UD-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 49W D2PAK, IGBT - 600 V 14 A 49 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее