г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1404Z Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1404Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
574 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1404Z.jpg
Other Names
INFIRFAUIRF1404Z,SP001520218,2156-AUIRF1404Z
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRF1404
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK, N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IKW40N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 75 A 480 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 78A 400W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 78 A 400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFH4255DTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 105A 31W, 38W Surface Mount PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: FP35R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 54A 215W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 54 A 215 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPD60R2K1CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3, N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее