г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1404ZS Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1404ZS
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1404ZS.jpg
Other Names
IFEINFAUIRF1404ZS,SP001515848,2156-AUIRF1404ZS
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRF1404
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW50N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPP15P10PLHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BFR182E-6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: BSC019N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRLU3636PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее