г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF4104S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF4104S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
293 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF4104S.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001516518,2156-AUIRF4104S-448
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFN26E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: SKW25N120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 46A 313W TO247-3, IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLML2803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23, N-Channel 30 V 1.2A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRFH3707TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN, N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IPD90P04P4L04ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3, P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее