г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF5210STRL Infineon Technologies

Артикул
AUIRF5210STRL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
1 075 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF5210STRL.jpg
Other Names
AUIRF5210STRLCT,AUIRF5210STRLDKR,AUIRF5210STRLTR,SP001519458
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2780 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRF5210
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW75N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 428 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO, P-Channel 20 V 6.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FZ2400R17HP4B2BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 4800A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 4800 A 13000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRFZ44Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее