г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF7341Q Infineon Technologies

Артикул
AUIRF7341Q
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Цена
300 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/AUIRF7341Q.jpg
Other Names
SP001520152
Power - Max
2.4W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
95
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP250NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BAR151E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 140 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFS3307ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FZ900R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 4300W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 4300 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BFP420H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343, RF Transistor NPN 5V 35mA 25GHz 160mW Surface Mount SOT-343
Подробнее