г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFR8405 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFR8405
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, N-Channel 40 V 100A (Tc) 163W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFR8405.jpg
Other Names
SP001519800,2156-AUIRFR8405-448,IRAUIRFR8405
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
163W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.98mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5171 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR8405
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3415PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB, N-Channel 150 V 43A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DD435N36KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 3600V 573A, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 3600 V 573A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IGT60R190D1SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Подробнее
Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRLS4030-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF7749L2TR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET, N-Channel 60 V 33A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее