г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFS3107 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFS3107
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
72 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFS3107.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 140A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9370 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001522294
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
50
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPI80CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: BSS127H6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPP086N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее