г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRGP35B60PD-E Infineon Technologies

Артикул
AUIRGP35B60PD-E
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Цена
791 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/AUIRGP35B60PD-E.jpg
Test Condition
390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Power - Max
308 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
IGBT Type
NPT
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 35A
Switching Energy
220µJ (on), 215µJ (off)
Gate Charge
55 nC
Td (on/off) @ 25°C
26ns/110ns
Other Names
SP001511222,INFIRFAUIRGP35B60PD-E,2156-AUIRGP35B60PD-E-IT
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AD
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
400
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFH3707TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN, N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: AIMW120R035M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IKW50N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 80 A 305 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module Trench 2 Independent 1200 V 50 A 0.2 W Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Подробнее
Артикул: AUIRFR2307Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7311TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее