г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS1603WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS1603WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Цена
45 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS1603WE6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS1603W
Other Names
BAS1603WE6327HTSA1DKR,BAS 16-03W E6327TR-ND,BAS1603WE6327XT,BAS1603WE6327HTSA1CT,BAS 16-03W E6327,BAS 16-03W E6327CT-ND,BAS1603WE6327,BAS1603WE6327BTSA1,BAS 16-03W E6327DKR,BAS1603WE6327HTSA1TR,BAS 16-03W E6327DKR-ND,SP000010213,BAS 16-03W E6327CT,BAS 16-
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
80 V
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)
250mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-76, SOD-323
Supplier Device Package
PG-SOD323-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL2505PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB, N-Channel 55 V 104A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BC858B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRLBA1304P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220, N-Channel 40 V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: IDP15E65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220, Diode Standard 650 V 15A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRGS14C40L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A 125W D2PAK, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLZ44NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее