г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS40E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS40E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS40E6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS40
Other Names
BAS40XTINTR-ND,BAS40E6327HTSA1TR,BAS40XTINCT,BAS40INTR-ND,BAS40XTINCT-ND,IFEINFBAS40E6327HTSA1,BAS40E6327HTSA1DKR,BAS 40 E6327,BAS40INTR,BAS40E6327HTSA1CT,BAS40XTINTR,BAS40INDKR,2156-BAS40E6327HTSA1,BAS40E6327,BAS40E6327XT,BAS40INTR-NDR,BAS40INDKR-ND,BAS4
Speed
Small Signal =
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
40 V
Reverse Recovery Time (trr)
100 ps
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 30 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)
120mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS70-04E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array
Подробнее
Артикул: IRF520NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF520N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP4568PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC, N-Channel 150 V 171A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS3307ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее