г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAT15-099R Infineon Technologies

Артикул
BAT15-099R
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Цена
33 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAT15-099R.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BAT15-099R,INFINFBAT15-099R
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG7PH46UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 390W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7493TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO, N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7855PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO, N-Channel 60 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF9410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO, N-Channel 30 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC858C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее

Ваша заявка принята