г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAT15-099R Infineon Technologies

Артикул
BAT15-099R
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MIXER DIODE, LOW BARRIER, X BAND, RF Diode
Цена
33 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAT15-099R.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-BAT15-099R,INFINFBAT15-099R
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IM393X6FXKLA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER MODULE 600V 20A MDIP22, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 20 A 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFI4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP, N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRFB8407
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFB8407 - 20V-40V N-CHANNEL A, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247-3, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB4020PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята