г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC847AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BC847AE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
38 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC847AE6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BC847
Other Names
BC847AINTR,BC847AINTR-NDR,BC 847A E6327,BC847AE6327BTSA1,BC847AXTINTR,BC847AINTR-ND,BC847AE6327HTSA1TR,2156-BC847AE6327HTSA1,BC847AE6327,BC847A,BC847AE6327XT,BC847AXTINTR-ND,BC847AXTINCT-ND,SP000010571,BC847AINDKR,INFINFBC847AE6327HTSA1,BC847AINCT,BC847AE
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SGW20N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRGPC40UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247-3, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD95R450P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3, N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: AUIRF2804STRL7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF3710L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO262, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее