г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC848CE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BC848CE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
4 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC848CE6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BC848
Other Names
BC848CE6327BTSA1,BC848CE6327XT,BC848CE6327,BC 848C E6327-ND,IFEINFBC848CE6327HTSA1,BC848CE6327HTSA1CT,BC 848C E6327DKR,BC848CE6327HTSA1DKR,BC 848C E6327CT-ND,SP000010552,BC848CE6327HTSA1TR,BC 848C E6327CT,BC 848C E6327,2156-BC848CE6327HTSA1-ITTR,BC 848C E
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AIDK08S65C5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE DIODES, Diode
Подробнее
Артикул: IRLS4030-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK, N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IM818MCCXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 1.2 kV 16 A 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AIDW30S65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRF1324LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 24V 195A TO262, N-Channel 24 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее