г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR108SH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
11 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR108SH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR108SH6327XTSA1TR,2156-BCR108SH6327XTSA1-ITTR,BCR 108S H6327,BCR 108S H6327-ND,SP000750774
Power - Max
250mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
170MHz
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Base Product Number
BCR108
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRAMS10UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 10A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPW60R070P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BF 2040 E6814
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet
Подробнее
Артикул: IPD320N20N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3, N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF4905PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB, P-Channel 55 V 74A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFU3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее