г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR108SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR108SH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
11 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR108SH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR108SH6327XTSA1TR,2156-BCR108SH6327XTSA1-ITTR,BCR 108S H6327,BCR 108S H6327-ND,SP000750774
Power - Max
250mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
170MHz
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Base Product Number
BCR108
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLTS6342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP, N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IDH06SG60CXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRFR7740PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 87A DPAK, N-Channel 75 V 87A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IRG4BC20KDSTRLP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 16 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC011N03LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON, N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее