BCR133WH6327 Infineon Technologies

Артикул

BCR133WH6327

Бренд

Infineon Technologies

Описание

BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

Цена

3 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией

Image

files/BCR133WH6327.jpg

REACH Status

Vendor Undefined

Standard Package

Other Names

IFEINFBCR133WH6327,2156-BCR133WH6327

HTSUS

8541.21.0075

ECCN

EAR99

RoHS Status

Not applicable

Part Status

Active

Package

Bulk

Series

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF8113

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO, N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: IRLIB9343

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP, P-Channel 55 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak

Подробнее

Артикул: IRF7410GTRPBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Подробнее

Артикул: BAT64E6327HTSA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3, Diode Schottky 40 V 120mA Surface Mount PG-SOT23

Подробнее

Артикул: IRFP4568PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC, N-Channel 150 V 171A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC

Подробнее

Артикул: IRAMS10UP60B-2

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IC PWR MOD PLUG-N-DRIVE 600V 10A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads

Подробнее

BCR133WH6327 Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята