г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR503E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR503E6327HTSA1.jpg
Other Names
SP000010839,BCR503E6327INDKR,BCR503E6327INDKR-ND,BCR503E6327HTSA1CT,INFINFBCR503E6327HTSA1,BCR 503 E6327,BCR503E6327INTR,BCR503E6327HTSA1DKR,BCR503E6327INTR-ND,BCR503E6327,BCR503E6327INCT-ND,BCR503E6327BTSA1,BCR503E6327XT,BCR503E6327HTSA1TR,BCR503E6327INC
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Base Product Number
BCR503
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
2.2 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLML2502TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23, N-Channel 20 V 4.2A (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: SI4410DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKA10N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.7A 30W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 11.7 A 30 W Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IKW30N60DTPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 53A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 53 A 200 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFZ44NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK, N-Channel 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDH06G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее