г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BDP949H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BDP949H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS NPN 60V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BDP949H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BDP949
Other Names
BDP 949 H6327,SP000748382,BDP 949 H6327-ND
Power - Max
5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Standard Package
1,000
HTSUS
8541.29.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB117N20NFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3, N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BAT6202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SC79-2, Diode Schottky 40 V 20mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее
Артикул: SPP04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO, P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее