г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BF998E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143, RF Mosfet N-Channel 8 V 10 mA 45MHz 28dB - PG-SOT-143-3D
Цена
29 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/BF998E6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BF998
Other Names
BF 998 E6327,BF998INTR,BF998INTR-NDR,BF998INCT-NDR,BF998E6327XT,BF998XTINTR,BF998XTINTR-ND,BF998E6327HTSA1CT,BF998XTINCT-ND,BF998XTINCT,BF998E6327,BF998E6327BTSA1,BF998INDKR-ND,BF998,BF998INDKR,BF998E6327HTSA1TR,BF998INTR-ND,SP000010978,BF998E6327HTSA1DKR
Voltage - Rated
12 V
Frequency
45MHz
Power - Output
-
Gain
28dB
Noise Figure
2.8dB
Transistor Type
N-Channel
Voltage - Test
8 V
Current Rating (Amps)
30mA
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Last Time Buy
Package / Case
TO-253-4, TO-253AA
Supplier Device Package
PG-SOT-143-3D
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Current - Test
10 mA

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM50GP120BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IGW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BSS209PW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3, P-Channel 20 V 580mA (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 390W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7534D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8, P-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее