г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFP410H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFP410H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343, RF Transistor NPN 5V 40mA 25GHz 150mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Цена
105 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFP410H6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFP410
Other Names
448-BFP410H6327XTSA1DKR,BFP 410 H6327-ND,BFP410H6327XTSA1TR-ND,2156-BFP410H6327XTSA1-448,448-BFP410H6327XTSA1TR,BFP410H6327XTSA1TR,448-BFP410H6327XTSA1CT,BFP 410 H6327,SP000762244
Power - Max
150mW
Gain
21.5dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
5V
Current - Collector (Ic) (Max)
40mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 13mA, 2V
Frequency - Transition
25GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-4-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.2dB @ 2GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRF9317PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO, P-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGB4059DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 8A 56W TO220AB, IGBT Trench 600 V 8 A 56 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC016N04LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7494PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 39A 175W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 39 A 175 W Chassis Mount Module
Подробнее