г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFP640ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFP640ESDH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Цена
127 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFP640ESDH6327XTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFP640
Other Names
BFP 640ESD H6327,BFP640ESDH6327XTSA1TR,BFP 640ESD H6327DKR-ND,BFP640ESDH6327XTSA1CT,BFP640ESDH6327XTSA1DKR,SP000785482,BFP640ESDH6327,BFP 640ESD H6327CT,BFP 640ESD H6327CT-ND,BFP 640ESD H6327TR,BFP 640ESD H6327TR-ND,BFP 640ESD H6327DKR
Power - Max
200mW
Gain
7dB ~ 30dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
4.7V
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition
46GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-4-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW40N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR2607ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPB051NE8NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPD85P04P4L06ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3, P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IPD048N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее