г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR182E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR182E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR182
Other Names
BFR182E6327INDKR-ND,BFR182E6327HTSA1TR,SP000011051,INFINFBFR182E6327HTSA1,BFR182E6327INDKR,BFR182E6327,BFR182E6327XT,2156-BFR182E6327HTSA1,BFR182E6327INTR,BFR 182 E6327-ND,BFR182E6327BTSA1,BFR182E6327HTSA1DKR,BFR182E6327HTSA1CT,BFR182E6327INCT,BFR182E6327
Power - Max
250mW
Gain
12dB ~ 18dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7465PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: DF200R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7450TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO, N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGIB15B60KD1P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 19A 52W TO220FP, IGBT NPT 600 V 19 A 52 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7854TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO, N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее