г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR193E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR193E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR193
Other Names
BFR193E6327HTSA1TR,BFR 193 E6327,BFR 193 E6327-ND,BFR193E6327INCT,BFR193E6327INDKR-ND,BFR193E6327,BFR193E6327INTR,BFR193E6327BTSA1,BFR193E6327HTSA1CT,BFR193E6327INDKR,SP000011056,BFR193E6327INCT-ND,BFR193E6327XT,BFR193E6327HTSA1DKR,BFR193E6327INTR-ND
Power - Max
580mW
Gain
10dB ~ 15dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition
8GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Подробнее
Артикул: IKW75N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: SPW20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее
Артикул: BSZ0506NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON, N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BC808-40
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SPB80N06S2-08
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее