г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
OptiMOS™
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16900 pF @ 20 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSB014N04LX3GXUMA1-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
3-WDSON
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDL12G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: DDB6U145N16LHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V, Diode Array 3 Independent Standard 1600 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFS31N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK, N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFU15N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: FP75R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 105A 355W, IGBT Module NPT Single 1200 V 105 A 355 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7809AVTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, N-Channel 30 V 13.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее