г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
OptiMOS™
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Ta), 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16900 pF @ 20 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSB014N04LX3GXUMA1-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
3-WDSON
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGPS66160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFP4321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC, N-Channel 150 V 78A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IDP30E60XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: ITS4100S-SJ-N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL VERTICAL POWER FET,
Подробнее
Артикул: IRF7488TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO, N-Channel 80 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее