г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC010N04LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON, N-Channel 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC010N04LSATMA1.jpg
Other Names
SP000928282,BSC010N04LSATMA1CT,BSC010N04LSATMA1TR,BSC010N04LSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC010
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR3705ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PSC71 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRL2910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW40N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IKCM15F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IFPS MODULES, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее