г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC019N04LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC019N04LSATMA1.jpg
Other Names
448-BSC019N04LSATMA1CT,BSC019N04LSATMA1-ND,448-BSC019N04LSATMA1TR,SP001067012,448-BSC019N04LSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC019
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3315SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK, N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4PC50U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPW65R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: AUIRF5210STRL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL60SC216ARMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7, N-Channel 60 V 324A (Tc) 2.4W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: BAR66E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее