г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC019N04LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC019N04LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC019N04LSATMA1.jpg
Other Names
448-BSC019N04LSATMA1CT,BSC019N04LSATMA1-ND,448-BSC019N04LSATMA1TR,SP001067012,448-BSC019N04LSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC019
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPA15N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: SGW30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT
Подробнее
Артикул: IPB024N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7, N-Channel 100 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IRGP20B120U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT NPT 1200V 40A TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFZ46NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK, N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF3704PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB, N-Channel 20 V 77A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее