г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC026NE2LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON, N-Channel 25 V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
255 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC026NE2LS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001212432,BSC026NE2LS5ATMA1CT,BSC026NE2LS5ATMA1TR,BSC026NE2LS5ATMA1DKR,BSC026NE2LS5ATMA1-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 29W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC026
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB110P06LMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3, P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPP051N15N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, N-Channel 150 V 120A (Tc) 500mW (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG4PSH71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 78A SUPER247, IGBT - 1200 V 78 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRF7322D1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT6203WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOD323, RF Diode Schottky - Single 40V 20 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRGB4715DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-220AB, IGBT - 650 V 21 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее