г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC027N06LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC027N06LS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001385616,BSC027N06LS5ATMA1-ND,BSC027N06LS5ATMA1CT,BSC027N06LS5ATMA1DKR,BSC027N06LS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC027
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1404PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB, N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: MMBT3906LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRL7833S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDW30E65D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 60A, 650V, Diode Standard 650 V 60A Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF3708S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее