г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC028N06NSSCATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
510 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC028N06NSSCATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3375 pF @ 30 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Base Product Number
BSC028
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSC028N06NSSCATMA1DKR,SP005348853,448-BSC028N06NSSCATMA1TR,448-BSC028N06NSSCATMA1CT
Standard Package
4,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB010N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRLIB9343PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP, P-Channel 55 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRLB8721PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC40WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее