г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC028N06NSSCATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
510 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC028N06NSSCATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3375 pF @ 30 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Base Product Number
BSC028
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSC028N06NSSCATMA1DKR,SP005348853,448-BSC028N06NSSCATMA1TR,448-BSC028N06NSSCATMA1CT
Standard Package
4,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: F3L400R12PT4PB26BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 800A 20MW, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 800 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFU3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BSZ017NE2LS5IATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON, N-Channel 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRF7241TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO, P-Channel 40 V 6.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее
Артикул: IRF6811STRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET, N-Channel 25 V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Подробнее