г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC035N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC035N10NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
587 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC035N10NS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001229628,BSC035N10NS5ATMA1CT,BSC035N10NS5ATMA1DKR,BSC035N10NS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 156W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 115µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC035
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R125C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3, N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: SPP20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2,
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 34A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 34 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AIMW120R035M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BSC340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5, N-Channel 80 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRL8113PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее