г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0500NSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
379 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0500NSIATMA1.jpg
Other Names
BSC0500NSIATMA1-ND,BSC0500NSIATMA1CT,BSC0500NSIATMA1DKR,BSC0500NSIATMA1TR,SP001288136
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0500
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF6668TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IRG8P50N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC, IGBT - 1200 V 80 A 350 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRFR8405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, N-Channel 40 V 100A (Tc) 163W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFB4229PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB, N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD80R900P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее