г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0504NSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON, N-Channel 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0504NSIATMA1.jpg
Other Names
BSC0504NSIATMA1DKR,BSC0504NSIATMA1TR,BSC0504NSIATMA1CT,BSC0504NSIATMA1-ND,SP001288146
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
960 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0504
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FZ250R65KE3NPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 500A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 500 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPP100N06S2L05AKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3, N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BUZ111S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее